特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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光刻巨头缔造者谢幕：阿斯麦创始人维姆·特鲁斯特逝世，享年98岁

荷兰埃茵霍芬，2024年6月14日 -- 荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）联合创始人之一、公司前首席执行官维姆·特鲁斯特（Wim Troost）于2024年6月11日逝世，享年98岁。特鲁斯特先生的离世，不仅是阿斯麦公司的重大损失，也是整个半导体行业发展史上的重要一页。

特鲁斯特先生出生于1925年，早年曾在飞利浦公司任职。1984年，他与其他几位飞利浦员工共同创立了阿斯麦公司，致力于开发用于制造芯片的光刻机。在特鲁斯特先生的带领下，阿斯麦公司克服了重重困难，最终成为全球光刻机领域的领导者。

特鲁斯特先生对半导体行业发展做出了巨大贡献。他不仅是一位杰出的技术专家，更是一位卓越的企业家和领导者。他的远见卓识、坚韧不拔和果敢决策，为阿斯麦公司奠定了坚实的基础，并带领公司走上了成功的道路。

特鲁斯特先生的逝世，对于阿斯麦公司和整个半导体行业来说都是一个不可弥补的损失。他的精神和风范将永远激励着后辈们。

以下是对特鲁斯特先生生平和贡献的详细介绍：

• 特鲁斯特先生出生于荷兰海牙，早年曾在代尔夫特理工大学学习物理。
• 1950年，他加入飞利浦公司，并在该公司工作了34年。
• 在飞利浦公司，特鲁斯特先生曾担任过多个重要职务，包括光刻机部门负责人。
• 1984年，特鲁斯特先生与其他几位飞利浦员工共同创立了阿斯麦公司。
• 1987年至1990年，特鲁斯特先生担任阿斯麦公司首席执行官。
• 在特鲁斯特先生的带领下，阿斯麦公司成功研发了DUV光刻机，并打破了日本的垄断。
• 20世纪90年代后期，特鲁斯特先生领导阿斯麦公司进军EUV光刻机领域，最终取得了巨大成功。
• 特鲁斯特先生曾获得多项荣誉，包括荷兰狮子勋章和IEEE阿道夫·范·贝克奖。

特鲁斯特先生的逝世，引发了业界人士的广泛悼念。

阿斯麦公司首席执行官彼得·温宁克（Peter Wennink）表示：“特鲁斯特先生是一位真正的行业先驱，他对阿斯麦公司的发展做出了巨大贡献。我们将永远铭记他的功绩。”

美国半导体行业协会（SIA）主席兼首席执行官史蒂夫·古尔（Steve Halliday）表示：“特鲁斯特先生的逝世是半导体行业的重大损失。他是一位伟大的领导者和创新者，为推动半导体技术的进步做出了巨大贡献。”

特鲁斯特先生的去世，也给我们留下了许多思考。

在当今世界，科技创新日益重要。像特鲁斯特先生这样具有远见卓识和敢于创新的企业家，是推动科技进步的重要力量。我们要学习他们的精神，勇于创新，为推动科技发展贡献自己的力量。